100E2R2BW7200XJ24 产品简介

一、根基信息

• 型号：100E2R2BW7200XJ24

• 造作商：可能来自AVX或其他有关造作商

• 类型：基于硅的射频电容器/薄膜电容器

二、技术规格

1. 电容值：2.2μF（凭据定名规定揣摩）

2. 额定电压：7200VDC（直流工作电压高达7200伏特）

3. 容差：尺度容差领域，，，，，，，，通常为±5%或±10%（具体值需参考产品数据表）

4. 封装/箱体：3838 (9696 metric)（具体封装尺寸）

三、电气个性

• ESR（等效串联电阻）：低ESR设计，，，，，，，，出格合用于射频/微波频率利用

• ESL（等效串联电感）：低ESL个性，，，，，，，，有助于削减信号损失和提高系统机能

• 温度系数：通常拥有较低的温度系数，，，，，，，，但具体值需参考产品数据表

• 工作温度领域：凭据通例产品，，，，，，，，预计为-55°C至+125°C（具体值需参考产品数据表）

四、物理个性

• 尺寸：长度和高度具体值未给出，，，，，，，，但基于封装尺寸3838 (9696 metric)，，，，，，，，能够揣摩其尺寸大体领域

• 封装：托盘封装（Tray）或其他合用的封装大局

• 端接类型：通常为SMD/SMT（表表贴装器件/表表贴装技术）

五、利用领域

• 射频/微波利用：该电容器出格合用于射频/微波频率、高射频功率和光学利用中，，，，，，，，如无线通讯、雷达系统、医疗设备等领域

六、其他信息

• 供货情况：具体供货情况需凭据造作商或供给商而定

• RoHS：预计切合RoHS尺度，，，，，，，，不含有害物质（具体需参考产品数据表或造作商申明）

请把稳，，，，，，，，以上信息基于产品型号和通例产品个性的揣摩和整顿，，，，，，，，具体参数和个性可能因产品型号和批次而异。。。。。。。。建议参考产品数据表或联系造作商以获取正确信息。。。。。。。。